Nitrure d’aluminium (AlN)
Le nitrure d’aluminium (AlN) a une conductivité thermique très élevée tout en étant un excellent isolant électrique. Il permet d’une dissipation de chaleur « plus rapide ». Le coefficient de dilatation thermique de AlN est proche de celui du silicium. En tant que nouvelle génération de matériaux céramiques, le substrat en nitrure d’aluminium présente une bonne compatibilité avec les matériaux des circuits. Il peut être utilisé pour le câblage multicouche, ce qui en fait un matériau idéal pour les circuits intégrés à grande échelle, les circuits de modules à semi-conducteurs et les dispositifs haute puissance.
Applications
- LED, semi-conducteurs, substrat, dispositifs à micro-ondes à haute fréquence et modules de communication;
- Onduleurs pour cellules photovoltaïques, pièces pour générateurs d’énergie éolienne et composants véhicules à énergie nouvelle;
- Creusets de fusion de métaux non ferreux, composants d’évaporation, dispositifs de génération d’énergie
- Isolateurs électriques haute puissance, composants laser, dissipateurs de chaleur etc.
Avantages
- Conductivité thermique très élevée
La conductivité thermique de la céramique de nitrure d’aluminium est la plus élevée de tous les matériaux céramiques ; similaire à l’aluminium et plus de 6 fois supérieure à l’alumine
- Haute capacité d’isolation électrique
Le nitrure d’aluminium (AlN) a une très bonne capacité d’isolation électrique, une faible perte diélectrique. Sa dilatation thermique est proche de celle du silicium.
- Dense et sans toxicité
Le nitrure d’aluminium est non toxique et est considéré comme le possible remplaçant l’oxyde de béryllium (BeO) dans l’application et les substrats des semi-conducteurs.
Caractéristiques techniques – Nitrure d’aluminium (AlN)
| AlN | |
| Densité（g/cm3） | ＞3.3 |
| Porosité（%） | 0 |
| Rugosité de surface (sur demande) （μm） | 0.3~0.6 |
| Déformation（‰） | ＜2 |
| Module d’élasticité（GPa） | 320 |
| Résistance à la flexion（MPa） | ≥450 |
| Dilatation thermique（10-6/K） | 2.2~3.6 |
| Conductivité thermique – Ambiant（W/m•K） | ≥170 |
| Max. température de fonctionnement（℃） | 800*（Air） 1300（inert） |
| Résistivité volumique (Ω·cm) | ≥1000 |
| Constante diélectrique 1MHz | 8~10 |
| Perte diélectrique 1MHz | 3*10-4 |
| Résistance à la rupture（Kv/mm） | ≥17 |
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